半導体業界の国際組織であるSEMI（本部：米カリフォルニア州ミルピタス）は6月29日（米国時間）、最新のレポート「300mm Fab Outlook」を発表した。世界の300mmファブ装置投資のうちメモリセグメントへの投資額が2026年に前年比29％増の520億ドルに達し、初めて500億ドルを超えるとの見通しを示した。2027年には同11％増の570億ドルに拡大する見込みで、AI関連インフラやデータセンター、次世代コンピューティング需要の高まりを背景に先進メモリへの投資が加速している。

同分野の投資額は2024年から2029年にかけて年平均成長率（CAGR）19％で拡大する見通し。世界の300mmメモリ生産能力も2026年に月産410万枚、2027年には420万枚へ増加すると予測されている。

SEMIのプレジデント兼CEOであるAjit Manocha氏は「高帯域メモリ（HBM）をはじめとする先進メモリ技術への旺盛な需要が、半導体サプライチェーン全体における投資の優先順位を変えつつある。AIインフラが拡大する中、メモリメーカー各社は生産能力と技術移行への投資を同時に加速させている」と述べた。

分野別では、DRAM向け装置投資額が2026年に29％増の370億ドルに達する見込みで、GPU向けなどAIアクセラレータ向けの HBMおよびDDR5需要がこれを押し上げる。3D NAND向けも28％増の140億ドルとなる見通し。ただし先進ノードDRAMやHBM、高積層NANDへの技術移行に伴う工程の複雑化により、実効的な生産能力の伸びは一定程度抑制される見通しだ。

（2026年7月1日MonoQue掲載）